华南理工大学的研究团队在《Journal of Physics D: Applied Physics》上发表了关于Micro LED显示屏制造挑战的综述文章，深入分析了这一下一代显示技术在制造过程中所面临的难题。

文章指出，Micro LED在亮度、分辨率、对比度、能耗和响应速度等方面具有显著优势，但其商业化进程受到制造高质量、无缺陷Micro LED芯片和保持高良率的挑战。

文章详细讨论了Micro LED芯片制造过程中的技术挑战，包括提升外延晶圆品质、减少缺陷、避免刻蚀引起的侧壁缺陷等。特别强调了巨量转移技术的重要性，这是将Micro LED芯片从衬底转移到显示基板上的关键步骤，其良率要求极高，对产业化进程至关重要。

目前，已有多种巨量转移技术被提出，如精准拾取转移、自对准滚轮转印、自组装转移和激光辅助转移等，但每种技术都有待进一步优化以提高效率和良率。

此外，文章还探讨了检测和修复Micro LED芯片缺陷的必要性，指出随着LED尺寸的减小，传统的检测和修复方法面临挑战，需要开发新的技术来应对。

最后，文章提出了提高Micro LED显示屏良率的技术方向，包括精确控制外延生长参数、探索新的芯片制造和转移技术，以及采用先进的检测和修复方法。这些研究方向对于推动Micro LED显示技术的商业化具有重要意义。