三强争霸:SiC、GaN挑战IGBT市场
来源:ictimes 发布时间:2024-09-05 分享至微信
半导体功率领域,IGBT、SiC、GaN三强争霸,2024上半年各展风采。SiC凭借电动车市场崛起,尤其在中国市场,成为关键驱动力。
然而,SiC面临成本高昂的挑战,且电动车市场增长放缓、太阳能逆变器需求不振,进一步加剧其经营压力。
SiC正积极拓展工业应用,如充电桩和数据中心,以抢占IGBT市场并压制新兴GaN。相比之下,GaN从3C快充市场崛起,高效充电与小型化优势显著,正逐步向工业及AI数据中心渗透,但在电动车领域尚难与SiC抗衡。
GaN领域内部竞争激烈,专利战愈演愈烈,国际大厂力图遏制国内龙头英诺赛科的全球扩张,维护市场格局。三剑客间的较量,不仅关乎技术创新,更涉及市场策略与成本控制,未来格局尚待观察。
[ 新闻来源:ictimes,更多精彩资讯请下载icspec App。如对本稿件有异议,请联系微信客服specltkj]
存入云盘 收藏
举报
全部评论
暂无评论哦,快来评论一下吧!
ictimes
聚焦于半导体行业芯闻
查看更多
相关文章
乐天电信崛起:挑战三强,用户激增
2024-08-28
英飞凌三管齐下,应对SiC市场供过于求挑战
2024-08-08
高速增长:SiC和GaN功率半导体市场的未来展望
2024-07-26
国产储能BMS芯片迎爆发式增长,三强齐发引领创新浪潮
2024-07-23
PCIM Asia:SiC技术争霸,国际大厂与国内供应链共舞
2024-09-05
热门搜索