英飞凌全新600V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET系列的发布，不仅标志着高压超级结MOSFET技术迈入了一个全新高度，更以其技术革新和极致性价比，引领行业迈向新的发展阶段。

这一系列产品的问世，不仅是英飞凌在硅基MOSFET技术领域的又一里程碑，更是对CoolGaN™与CoolSiC™宽禁带半导体技术生态的有力拓展。

CoolMOS™ 8系列的核心亮点在于其集成的先进快速体二极管技术，这一突破性设计彻底颠覆了传统应用的桎梏，赋予了设计工程师在构建复杂电路时前所未有的灵活性与效率。无论面对何种主流拓扑结构，CoolMOS™ 8都能游刃有余，成为推动电源管理领域技术创新与性能优化的关键驱动力。

其卓越的性能表现，不仅让CoolMOS™ 7系列（包括P7、S7、CFD7、C7、G7及PFD7等多个经典型号）黯然失色，更为全球工程师提供了性价比更高、性能更优的解决方案，进一步加速了行业向高效、可靠、绿色方向转型的步伐。