英飞凌发布CoolSiC MOSFET 400V,重塑AI服务器电源效能
来源:ictimes 发布时间:2024-08-06 分享至微信
英飞凌科技推出CoolSiC MOSFET 400V系列,专为应对AI服务器对高功率密度的迫切需求设计。随着AI处理器功耗飙升,英飞凌基于第二代CoolSiCTM技术,打造出这款低电压SiC MOSFET,助力服务器电源在不增容机架下提升供电能力。
该产品专为AI服务器AC/DC级定制,显著提升功率密度至100W/in³以上,效率高达99.5%,较650V SiC MOSFET方案提升0.3%。结合CoolGaN晶体管,系统功率可达8千瓦以上,密度提升超三倍。
CoolSiC MOSFET 400V系列包含10款产品,适用于2-3级转换器及同步整流,具备高稳健性和低导通损耗,轻松应对AI处理器瞬态功率波动。其独特封装技术和低正RDS(on)温度系数,确保高温环境下的卓越性能。
该系列现已提供工程样品,预计于2024年10月量产,将广泛应用于AI服务器、太阳能、储能、工业电源及智能家居等领域,推动高效能AI应用的发展。
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