英伟达即将发布的RTX 50系列消费级显卡因设计问题需要重新流片（RTO），导致上市时间推迟。据中国台湾《工商时报》报道，为提升良率，英伟达需要重新设计GPU顶部金属层和凸点。这一改动涉及到台积电的CoWoS-L封装技术，该技术使用LSI桥接RDL连接芯粒，传输速度可达10TB/s。

英伟达的Blackwell GPU，被称为业界面积最大的GPU，由两颗Blackwell芯片拼接而成，采用台积电4nm制程，拥有2080亿个晶体管。然而，这类大型芯片在封装过程中遇到复杂问题，封装步骤中桥接精度要求极高，稍有缺陷便可能导致价值高达4万美元的芯片报废，影响良率及成本。

法人透露，GPU芯粒、LSI桥接、RDL中介层和主基板之间的热膨胀系数（CTE）差异，可能导致芯片翘曲和系统故障。因此，英伟达必须重新设计GPU顶部金属层和凸点，以提高封装良率。

供应链消息指出，随着芯片尺寸不断扩大，制造复杂度将不可避免地增加。次世代芯片需要在效能和功耗方面取得突破，以满足AI数据中心对算力的巨大需求。台积电计划结合InFO-SoW和SoIC技术为CoW-SoW，将存储芯片或逻辑芯片堆叠于晶圆上，预计于2027年实现量产，以应对大芯片趋势和AI负载需求。

此次RTX 50系列显卡的推迟，反映了半导体行业在追求更高性能和更小制程工艺中面临的挑战。英伟达的这一举措也凸显了在高端芯片制造过程中，良率和成本控制的重要性。