在半导体材料领域，一项重大的技术创新正悄然改变着碳化硅（SiC）衬底生产的格局。8月21日，江苏通用半导体有限公司宣布其自主研发的8英寸碳化硅晶锭激光全自动剥离设备正式交付并投入生产，标志着国产SiC设备在高端制造领域迈出了坚实的一步。

这款设备不仅实现了6英寸至8英寸碳化硅晶锭的全自动分片，更以惊人的年产能20000片碳化硅衬底和高达95%以上的良率，展现了其卓越的性能与效率。尤为值得一提的是，其售价仅为国外同类产品的三分之一，为国内企业提供了性价比极高的选择，有力推动了碳化硅产业的国产化进程。

传统上，碳化硅衬底的加工多采用多线切割技术，然而该技术存在加工效率低、环境负担重、材料损耗大等弊端，导致晶片成本高昂，难以大规模应用。而通用半导体的激光剥离技术，则通过激光脉冲在晶锭内部形成非晶化破坏层，再借助外力实现晶片的精准分离，极大地降低了材料损耗，提高了生产效率。据透露，该技术可将总材料损耗率降低至30%-50%左右，为碳化硅产业的成本控制和规模扩张提供了强有力的支持。

此外，通用半导体在技术创新方面的实力也得到了充分展现。早在去年12月，该公司就成功交付了SiC晶锭8英寸剥离产线，并在今年7月利用该设备成功剥离出130um厚度的超薄SiC晶圆片。这些成就不仅彰显了公司在激光剥离技术领域的领先地位，也为碳化硅器件在更广泛领域的应用奠定了坚实的基础。