在半导体材料创新的征途上，日本再次迈出坚实一步。7月17日，材料科技巨头Daicel携手大阪大学科学与工业研究所，共同揭晓了一项革命性的研发成果——一种全新的银硅复合烧结材料，该材料专为提升碳化硅（SiC）功率半导体的性能而生，预示着大功率半导体领域将迎来成本降低与性能提升的双重飞跃。

这一突破性成就，是在滕头副教授的领衔下，由Daicel与大阪大学柔性3D封装合作研究所的联合研究团队精心锻造而成。面对传统硅基功率半导体在高温环境下性能受限的瓶颈，团队将目光投向了以碳化硅为代表的第三代半导体材料，致力于解决其在极端条件下稳定运行的技术难题。

长久以来，高温环境下的耐热、散热及结构可靠性一直是碳化硅功率半导体普及路上的绊脚石。传统的银纳米粒子烧结技术虽有所突破，但在极端热冲击测试中仍暴露出界面开裂、结构破坏等顽疾。为此，研究团队另辟蹊径，成功研发出这种创新的银硅复合烧结材料。

该材料的核心亮点在于其独特的银硅键合界面设计，通过在硅表面覆盖一层氧化膜，实现了低温界面的形成，进而降低了热膨胀系数，有效解决了界面开裂问题。更令人振奋的是，通过精准调控硅的添加量，研究团队还实现了对热膨胀系数的灵活控制，为碳化硅功率半导体在复杂工况下的稳定运行提供了坚实保障。

在实际应用中，这种新型烧结材料作为碳化硅功率半导体与DBC基板之间的结合桥梁，显著减少了因热膨胀不匹配而产生的裂缝风险，即使在极端工作环境下也能保持卓越的接合可靠性。更令人瞩目的是，硅的加入不仅提升了材料性能，还有望带来成本的降低，为碳化硅功率半导体的大规模应用铺平了道路。