国内半导体技术相较于西方仍显滞后，但美国智库ITIF警告西方勿轻视中国潜力。当前，国内芯片设计与制造能力落后西方约5代，逻辑芯片设计差距为2年，存储器领域更为显著。设备与技术瓶颈制约发展，但赶超希望犹存。

近年来，中国在半导体领域的知识产权和创新技术专利申请激增，2020年半导体国际专利数超3400项，较2010年大幅增长。尽管多数专利非核心技术，但数量上的飞跃反映了中国在该领域的活跃与进取。

全球市占率上，美国半导体份额自1990年的37%降至2021年的12%，而中国则从零起步，迅速提升至与美国相近水平。然而，国内主攻的仍是28纳米以上传统半导体，用于非尖端领域。

中国企业以价格优势在市场中占据一席之地，或将重演消费电子等领域的成功模式，通过低价策略逐步扩大市场份额。但实现2025年前70%自给率目标仍艰难，ITIF预测即便额外投资万亿美元，自给率或仅达30%。

ITIF提醒西方，需精细制定出口管制政策，在保护技术与促进贸易间找到平衡，以应对中国半导体产业的崛起挑战。