在快速发展的AI领域，一场由行业三巨头共同主导的变革正在酝酿。据市场最新消息，SK海力士计划在9月于中国台湾举办的Semicon Taiwan国际半导体展上，正式宣布与台积电及英伟达深化合作，共同推进下一代高频宽存储器（HBM）技术的研发，旨在进一步巩固AI服务器核心零部件的全球供应链优势。

Semicon Taiwan盛会将于9月4日至6日举行，SK海力士社长金柱善将亲自赴台，不仅参展还将发表专题演讲，与业界分享其战略愿景。更引人注目的是，台积电高层将与之会面，据传英伟达CEO黄仁勋也可能专程赴台，共襄盛举，强化这一“AI半导体铁三角”的合作关系。

本次合作的焦点直指HBM技术。以往，SK海力士凭借其自研工艺独步HBM3E市场，但此次HBM4的研发将突破性地采用台积电的尖端逻辑工艺。这一合作旨在通过台积电的微缩工艺技术，为HBM4注入更多创新元素，以满足AI及高性能计算（HPC）领域对性能和能效的极致追求。

双方合作蓝图已初步成型，计划在2026年实现HBM4的量产。该产品将依托台积电12FFC+（12纳米级）及5纳米工艺，打造介面芯片，极大缩短互连间距，显著提升AI和高性能计算处理器的存储性能。

SK海力士的产品规划同样雄心勃勃，计划在2025年下半年推出12层堆叠的HBM4，并在次年推出更为先进的16层堆叠版本，旨在进一步优化功耗与数据传输效率。同时，台积电也正加速扩张其CoWoS-L和CoWoS-R等先进封装技术的产能，以全力支持HBM4的规模化生产。