图像传感器技术的创新正朝着多个方向发展，包括新材料体系、新电路设计、新物理机制、新功能设计以及新器件设计。学术界在这一领域展现出丰富的想象力，而产业界则更注重CMOS兼容性，追求参数、成本和功能的综合性提升。

Sony作为行业的代表，通过TSV技术推出了三层堆叠式CIS结构，实现了像素、DRAM和逻辑电路的垂直堆叠，有效抑制了动态模糊。进一步的创新中，Sony利用堆叠工艺优势，推出了像素堆叠式CMOS图像传感器，优化了感光性能和电路设计，实现了像素尺寸的进一步缩小。

三星则探索了分光代替传统滤光的新技术，利用基于metasurface的分光片，有望实现入射光信号的充分利用，并拓展多色通道成像的可能性。这项技术借助了微纳光学的最新进展，为图像传感器设计带来了创新思路。

量子点图像传感器是另一个值得关注的创新方向，它具有带隙连续可调、吸收谱设计范围广、感光单元体积小等优点，已经在一些初步产品中得到应用。此外，量子点技术与石墨烯等其他新材料的结合，为图像传感器的性能提升和功能拓展提供了新的可能性。

总体来看，图像传感器领域的创新正通过新材料、新工艺和新设计理念，不断推动技术进步和产品升级，以满足日益增长的市场需求。