英伟达新技术推动HBM市场增长,预计2025年消耗量翻倍
来源:ictimes 发布时间:2024-08-10 分享至微信

根据TrendForce的最新报告,随着人工智能(AI)芯片技术的快速发展,高带宽存储器(HBM)的市场需求正在迅速增长。英伟达作为HBM市场的主要买家,预计在2025年推出Blackwell Ultra和B200A等新产品后,其在HBM市场的采购比重将突破70%。


以英伟达的Hopper系列芯片为例,第一代H100芯片搭载的HBM容量为80GB,而即将在2024年推出的H200芯片,其HBM容量预计将达到144GB。这一增长不仅反映了AI芯片对存储容量的高需求,也预示着整个HBM产业的消耗量将迎来显著提升。TrendForce预测,2024年HBM的年增率将超过200%,到2025年,消耗量有望实现翻倍增长。


此外,英伟达还计划推出面向OEM客户的降规版B200A芯片,该芯片将采用4颗12层HBM3e,尽管搭载的HBM容量较其他B系列芯片减半,但这并不会对整体市场的HBM消耗量产生负面影响。相反,这种多样化的芯片选择有助于提高中小客户的采购意愿。


TrendForce还指出,尽管SK海力士和美光科技计划在2024年第二季开始量产HBM3e,但英伟达H200芯片的推出将显著提升其在HBM3e市场的消耗比重,预计2024年全年可超过60%。随着Blackwell平台全面搭载HBM3e、产品层数的增加以及单芯片HBM容量的上升,预计到2025年,英伟达对HBM3e市场的消耗量将进一步增至85%以上。


12层HBM3e作为2024年下半年市场关注的焦点,预计将在2025年推出的Blackwell Ultra中采用8颗,同时GB200也可能进行升级。这将推动12层产品在HBM3e市场中的比重提升至40%,甚至有机会进一步上调。


随着技术难度的提升,HBM供应商的验证进度变得尤为关键,这将直接影响订单的分配。目前,三星在验证进度上领先于竞争对手,积极寻求提高市场份额。尽管今年HBM的主要产能仍以8层HBM3e为主,但12层HBM3e的产出增长预计将在2025年为市场带来显著贡献。


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