随着位元需求的激增、供需结构的显著改善以及高附加值技术的不断涌现，存储器产业正步入一个前所未有的黄金时期。据最新行业预测，DRAM（内存）与NAND Flash（闪存）两大核心领域在2024年将分别实现75%和77%的年度营收增长，而到了2025年，这一增长势头不仅将持续，更将创下历史新高，标志着存储器产业迈入了一个全新的发展阶段。

作为推动DRAM营收飙升的关键因素之一，HBM（高带宽内存）技术的崛起无疑成为了行业瞩目的焦点。凭借其出色的性能优势，HBM不仅极大地提升了位元需求，还显著拉高了整个DRAM产业的平均价格。据TrendForce集邦咨询预测，HBM将在2024年贡献DRAM位元出货量的5%，营收占比更是高达20%。此外，DDR5和LPDDR5/5X等新一代高附加值产品的快速渗透，也进一步助力DRAM平均价格的提升，为行业营收增长注入了强劲动力。

与此同时，NAND Flash市场也迎来了自己的“变革者”——QLC（四层式存储单元）技术。特别是在大容量Enterprise SSD（企业级固态硬盘）和智能手机UFS（通用闪存存储）领域的广泛应用，使得QLC技术成为了推动NAND Flash营收增长的重要力量。TrendForce集邦咨询预计，QLC将在未来几年内持续扩大市场份额，尤其是在北美CSPs（云端服务业者）的Inference AI Server（推理用人工智能服务器）中，QLC Enterprise SSD的大容量规格已成为主流选择。此外，中国智能手机厂商也开始积极采用QLC UFS方案，而苹果则预计将在2026年将QLC技术引入iPhone，进一步推动QLC技术的普及。