SK海力士近期宣布，将对其芯片生产中的清洗工艺进行重要的环保革新，用氟气（F2）替代原有的三氟化氮（NF3）。根据SK海力士发布的2024年可持续发展报告，原先使用的NF3在全球变暖潜能值（GWP）上高达17200，而氟气（F2）的GWP为零，显示出显著的环保优势。

在芯片制造过程中，清洗工艺是去除沉积过程中腔室内部残留物的关键步骤。SK海力士的这一变革不仅减少了温室气体的排放，也符合全球对于减少气候变化影响的努力。

除了氟气（F2），SK海力士还计划增加氢氟酸（HF）的使用，该气体在低温蚀刻设备中的应用，其GWP值同样低至1或更低，相较于过去用于NAND通道孔蚀刻的氟碳气体，氢氟酸的环境影响大幅降低。

SK海力士的这一系列措施体现了公司对可持续发展的承诺，通过技术创新和工艺改进，致力于减少生产过程中对环境的影响，推动半导体产业的绿色发展。在全球范围内，越来越多的科技公司正逐步采纳环保材料和工艺，以实现更清洁、更可持续的制造流程。SK海力士的举措不仅为其自身的环境责任树立了标杆，也为整个行业提供了可借鉴的范例。