英飞凌稳扎稳打,深化宽能隙半导体布局
来源:ictimes 发布时间:2024-07-30 分享至微信
全球功率半导体龙头英飞凌在台湾科技日上重申了其稳健不躁进的战略方向,特别是在宽能隙半导体领域。公司透露,其8寸SiC晶圆产线预计将于2025年第一季度正式投入量产,以满足日益增长的电动车市场需求。
英飞凌强调,无论是传统的硅基产品还是宽能隙半导体,都将坚持稳健发展的策略。对于SiC,公司近年来持续稳定扩产,以应对电动车市场的快速增长。同时,英飞凌也看到了GaN的广阔前景,通过收购GaN System来扩大市场份额,但整合过程中保持谨慎,确保技术独立性和开发能力的延续。
面对市场波动,如电动车热潮的降温和基础建设进度的滞后,英飞凌并未急于求成,而是根据实际需求和供应链韧性来规划产能。对于GaN的成本与稳定性问题,公司持审慎态度,认为只有在确保技术成熟和成本可控的前提下,才能推动市场的广泛应用。
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