近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所的宋志棠与雷宇研究团队，在三维相变存储器（3D PCM）的研究中取得了令人瞩目的系列进展。该团队不仅成功开发出亚阈值读取电路，还在高可靠编程电路及模型构建方面实现了重要突破，相关成果已发表于国际权威期刊。

针对3D PCM读取操作中的芯片寿命限制问题，团队创新性地提出了亚阈值自适应参考漏电补偿（ARLC）读出电路。该电路通过有效补偿泄漏电流，显著提升了读取裕度、读取速度和良率，同时大幅延长了读疲劳寿命。

此外，在高密度3D PCM的高可靠编程电路方面，团队针对微缩过程中遇到的写干扰、IR压降及漏电等问题，提出了地址敏感和数据敏感写电流自动配置电路，极大地提高了编程可靠性和单元疲劳寿命。

尤为值得一提的是，团队还首次构建了带有Monte Carlo功能的1S1R SPICE模型，填补了国际空白。该模型能够准确模拟1S1R单元电学特性的统计分布，为3D PCM的可靠性设计和良率提升提供了有力支持。

这一系列研究成果不仅展示了中国科研团队在存储器技术领域的深厚实力，也为全球存储器技术的发展贡献了重要力量。