研调巨头集邦科技最新报告揭示了存储器产业的强劲增长趋势。受益于产品均价提升及AI需求的强劲拉动，特别是高频宽存储器（HBM）与四层单元（QLC）快闪存储器的兴起，预计今明两年全球存储器产业营收将持续走高，DRAM与NAND Flash的营收更将双双刷新纪录。

尽管台湾厂商在HBM领域布局有限，但将间接受益于国际大厂如三星、SK海力士、美光等将部分DRAM产能转向HBM生产，从而导致的DDR4与DDR5等DRAM产量减少，为台湾存储器厂商如南亚科、威刚、十铨、宜鼎、群联等带来正面影响。

集邦分析指出，DRAM产业增长的主要驱动力包括HBM的兴起、DRAM产品世代的演进、原厂资本支出的减少导致供给受限，以及服务器市场的需求复苏。同时，高附加值的DDR5和LPDDR5/5X等产品渗透率的提升，也将进一步推高平均价格。

具体来看，集邦预测DDR5将在2024年和2025年分别占据服务器DRAM位元出货量的40%和60%至65%，而LPDDR5/5X则预计在这两年分别贡献移动DRAM位元出货量的50%和60%。这一系列数据预示着存储器产业即将迎来新一轮的增长高峰。