比利时微电子研究中心Imec近日取得重大突破，成功展示了全球首款能实际运作的互补式场效晶体管（CFET）。这款装置不仅代表了半导体技术的又一次飞跃，更为1纳米以下制程技术提供了强有力的竞争手段。
Imec的CFET装置采用了独特的堆叠式上下源极/汲极接点设计，其中每个晶体管的闸极长度达到18纳米，闸极间距为60纳米。
令人瞩目的是，Imec通过一项创新技术，将底部接点的形成移至晶圆背面，显著提高了装置的存活率，从11%大幅提升至79%。
Imec在CFET设计中还引入了MDI模块，该模块能够隔离上下闸极，并区分n型和p型晶体管的阈值电压设置。这一设计不仅展示了纳米片晶体管的独特功能，还为未来的半导体技术探索了新的可能性。
