随着半导体技术的飞速发展，混合键合技术正成为行业的新宠。该技术通过精准堆叠多个芯片，实现了前所未有的高密度垂直连接，从而显著提高了单位面积内晶体管的数量和性能。
IMEC的研究团队已经成功展示了晶圆对晶圆键合技术，其键合距离仅为400纳米，远小于当前商业化芯片的间隔。这一突破性的进展，为半导体制造领域带来了新的可能。
为了实现高精度的混合键合，化学机械平坦化（CMP）技术至关重要。通过CMP技术，晶圆表面能够达到极高的平整度，为芯片间的无缝连接提供了坚实基础。
此外，混合键合技术对于高带宽存储器（HBM）的发展具有重要意义。它不仅能够减少HBM的厚度，还能提高散热性能，使得高端GPU能够处理更多数据，满足大型语言模型等复杂应用的需求。
展望未来，混合键合技术将持续进化。预计将与背面供电技术相结合，进一步缩小键合间距，并可能拓展至氮化镓等其他材料，为半导体制造带来更多创新和突破。
