日本材料巨头旭化成旗下子公司Crystal IS近日宣布，他们已成功实现4英寸单晶氮化铝衬底的量产，并计划在美国工厂进行独家生产。这一突破性的进展不仅展示了Crystal IS在晶体生长技术上的深厚实力，也预示着氮化铝材料在半导体领域的应用将更加广泛。
氮化铝衬底以其超宽带隙和高导热性受到业界的高度关注。这种材料有助于提高UVC LED以及其他RF和功率器件的可靠性和性能，特别是在水消毒、空气和表面消毒等应用中表现出色。
Crystal IS表示，他们通过近九个月的努力，成功将氮化铝大直径衬底的可用面积提升至99.3%，这一成果标志着氮化铝衬底生产技术的重大进步。他们计划在今年内向主要合作伙伴供应直径为4英寸的氮化铝衬底，以满足市场对高性能、高可靠性半导体器件的需求。
Crystal IS自1997年成立以来，一直致力于氮化铝衬底的开发和生产，其技术工艺已广泛应用于2英寸直径衬底中生产UVC LED。此次量产4英寸氮化铝衬底，将进一步巩固他们在该领域的领先地位，并推动氮化铝材料在更多领域的应用。
