韩国SK启方半导体于6月19日宣布，在GaN（氮化镓）新一代功率半导体研发上取得重要进展，已确保650V GaN HEMT的关键器件特性。该公司正积极投入资源，以期在年底前完成相关开发工作。

SK启方半导体自2022年起就致力于GaN技术的研发，如今已取得了显著成果。GaN以其高速开关、低导通电阻等特性，成为功率半导体领域的明星产品。预计，其将为快速充电、LED照明、数据中心等领域带来成本降低和性能提升的双重优势。

市场调研显示，GaN功率半导体市场前景广阔，预计将以33%的复合年增长率持续增长至2032年。SK启方半导体不仅看到了这一趋势，更将其作为公司未来发展的重点。

SK启方半导体首席执行官Derek D. Lee表示，公司将持续加大功率半导体产品组合的研发投入，不仅限于GaN，还将拓展至SiC（碳化硅）等其他领域，进一步巩固其在功率半导体代工厂的地位。