近日，存储器巨头美光宣布将在广岛建造全新的 DRAM 新厂，预计最快于2027年底前投入运营。这一消息源于美光计划投入6,000至8,000亿日圆兴建新厂，以满足持续增长的HBM市场需求，该厂将位于现有Fab15设施附近。
新厂初期将专注于DRAM晶圆生产，特别是HBM产品，预计将导入最新的极紫外光（EUV）微影设备，以支持台湾和日本合作开发的先进1-Gamma和1-Delta制程。此外，中国台湾的One Mega Taiwan（OMT）也宣布将于明年加入HBM晶圆量产阵营，进一步推动市场发展。
业内分析指出，由于HBM的高性能需求和较低的生产良率，这种新技术相比DDR5需要更多的投片量，这也意味着传统DRAM产能可能会受到一定挤压。美光此次加速扩张的决策也反映出对未来HBM市场潜力的乐观预期，预计到2025年，公司的市场份额将进一步提升至与传统DRAM相当。
日本政府也对这一计划给予了积极支持，去年10月，日本经济产业省宣布将向美光提供约1920亿日圆的建厂和设备补贴，同时还针对最高生产和研发成本提供了额外的支持。
总体而言，美光广岛新厂的建设不仅将加速HBM技术在市场上的渗透，还将为东亚地区的半导体产业带来新的发展机遇，促进全球技术进步和产业升级。
