芯品发布
高可靠GaN专用驱动器,便捷GaN电源设计
GaN功率器件因为其高工作频率和高转化效率的优势,逐渐得到电源工程师的青睐。然而增强型GaN功率器件的驱动电压一般在5~7V,驱动窗口相较于传统Si MOSFET较小。若采用传统MOSFET驱动器来驱动GaN器件,需要增加额外的外围R/C元件(如下图所示),造成一定的驱动复杂度以及可靠度问题。另一种解决方案——限制驱动器的供电电压在6V附近,又要额外引入稳压电路,给电源设计工作者造成诸多不便。
针对以上问题,云镓半导体推出GaN专用驱动解决方案,产品系列包含:单通道栅极驱动器、“Driver+ LS”单边合封、“Driver + Half-bridge”半桥合封产品。
极简驱动方案,灵活你的设计
以CGC02201为例说明,其是一款针对GaN HEMT的单通道Low-Side栅极驱动器,拉电流能力强,峰值拉电流可达4 A,最大工作频率可达到2 MHz,能支持-40℃~125℃工业工作环境。适合Flyback,Boost-PFC,Totem-pole PFC和LLC等电路拓扑,应用场景可以覆盖适配器、TV电源、LED驱动、数据中心等应用。如下为典型应用电路:
产品主要特点:
宽供电电压范围VCC
为使驱动器的输出驱动电平不受供电电压影响,CGC02201内部集成线性稳压器,其供电电压VCC最高可达18V,内置的稳压电路可提供稳定的6V末级供电,确保GaN器件的栅极能稳定接受幅值6V的驱动信号,大大简化了供电电路的设计。
宽PWM输入幅度
独立的SGND与PGND设计
独立的栅极开启与关断回路设计
灵活可调dV/dt
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https://www.cloudsemi.net/products/index-37.html
云镓半导体科技有限公司(CloudSemi) 成立于2021年11月,是一家专业从事GaN功率器件及解决方案的设计公司,现有上海、杭州、深圳三个研发及办事机构。公司核心团队具有多年GaN器件量产经验,具备工艺开发、器件定制、IC设计、封装测试、可靠性评估和系统应用等全建制能力,可提供定制化设计和全套解决方案服务,帮助客户实现系统竞争力。目前,公司已推出多款氮化镓功率器件及IC类产品,应用场景可覆盖消费电子、数据中心、再生能源以及汽车电子等领域。
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公司现有三个研发及办事机构:
★研发中心:上海市浦东新区锦绣东路2777弄3号楼602室
★ RE实验室:杭州市西湖区留下街道西溪路698号15号楼211室
★ 应用中心:深圳市南山区桃源街道平山社区留仙大道4093号南风楼B座512室
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或联系我们:info@cloudsemi.net.
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