在追求更高性能的半导体领域，三星近日发布了一项重要技术进展。该公司在一篇论文中强调，为了制造16层以上的高带宽存储器（HBM）芯片，必须采用先进的混合键合技术。
这一技术在今年5月的IEEE电子元件和技术会议上得到了详细阐述。三星表示，混合键合技术对于HBM芯片的堆叠至关重要，尤其是在达到16层及以上时。这种技术通过直接堆叠芯片，无需凸块连接，实现了更低的堆叠高度和更高的散热效率。
三星一直采用传统的热压键合技术在其12层HBM芯片中堆叠芯片，但面对更高的堆叠需求，混合键合技术成为不二之选。知情人士透露，将核心芯片做得更薄或减小凸块间距的方法已接近极限，而混合键合技术则提供了全新的解决方案。
三星还分享了混合键合技术的具体应用步骤，包括化学机械抛光、等离子工艺、晶圆冲洗等。通过这些步骤，逻辑晶圆和核心芯片能够紧密结合，形成高效、稳定的HBM芯片。
据悉，三星已使用子公司Semes的混合键合设备成功制造出16层HBM样品，并计划于2025年制造HBM4样品，其中大部分将采用16层堆叠技术，预计于2026年实现量产。这一技术突破无疑将推动半导体行业的进一步发展。
