随着存储器技术的不断发展，HBM4技术即将开启全新的竞争格局。SK海力士在COMPUTEX 2024上展示了最新的HBM3E存储器和MR-MUF技术，并指出混合键合将成为未来的关键技术之一。

相比于三星、美光等竞争对手采用的TC-NCF技术，MR-MUF技术具有更高的导热率和更简洁的制程，为存储器厂商带来了巨大的优势。

随着存储器层数的不断增加，传统的封装技术面临挑战，而混合键合技术可能成为解决方案。

SK海力士计划在2026年量产16层HBM4存储器，而HBM4E技术有望在2028年推出，预计将实现存储器容量的大幅提升。这一系列技术的突破将推动存储器行业迈向新的高度，为未来的发展奠定坚实的基础。