浙江大学杭州国际科创中心的先进半导体研究院与乾晶半导体联合实验室近日取得了重大突破。据科创中心官微报道，联合实验室成功制备出了厚度达100mm的超厚碳化硅单晶，这是国内首次实现如此厚度的碳化硅单晶生长。

为实现这一目标，联合实验室采用了提拉式物理气相传输法（PPVT），通过深入研究与试验，最终生长出了直径为6英寸（即150mm）的碳化硅单晶，其厚度更是达到了前所未有的100mm。这一成果的取得，标志着我国在碳化硅单晶制备领域迈出了重要一步。

经过测试加工，得到的衬底片结果显示，该超厚碳化硅单晶具有单一的4H晶型，结晶质量优良，电阻率平均值不超过∼ 30 mΩ·cm。这一优异的性能，使得该碳化硅单晶在半导体领域具有广泛的应用前景，将为我国半导体产业的发展注入新的动力。