在半导体材料研发领域，科友半导体近日实现了重要突破。这家成立于2018年的国家级高新技术企业，专注于第三代半导体技术的研发与产业化，成功利用自主研发的电阻长晶炉制备出多颗导电型6英寸碳化硅单晶，其中心厚度超过80mm，薄点厚度更是超过业内主流的3倍，达到了60mm。
据悉，科友半导体此次突破的关键在于其独特的制备技术。在碳化硅单晶生长过程中，传统的物理气相传输（PVT）法虽然质量可控、工艺成熟，但晶体厚度一直是其瓶颈。而溶液法虽能提高晶体厚度，但尚未实现真正的产业化生产。
科友半导体通过自研电阻炉，并结合溶液法的部分理念，成功地将PVT法单晶稳定生长的优势与提高晶体厚度的需求相结合，打破了技术限制，实现了碳化硅单晶厚度的显著提升。
这一创新突破不仅展示了科友半导体在碳化硅晶体生长技术上的领先地位，也为企业带来了显著的成本降低和盈利能力提升。
