连城数控，一家业务横跨半导体与光伏两大领域的创新企业，近日通过其全资子公司连科半导体，在江苏无锡举行的第二届第三代半导体晶体生长技术与市场研讨会上，正式发布了新一代8英寸SiC长晶炉。这一里程碑式的产品发布，标志着连城数控在大尺寸SiC衬底设备供应方面实现了全面覆盖。该设备凭借紧凑的结构设计、灵活的长晶工艺以及显著的节约环保特性，在业内引起了广泛关注。

在研讨会上，连科半导体还与西安交通大学举行了产学研合作签约仪式。此次合作旨在加强与高校、科研院所的技术研发和人才培养，进一步推动半导体产业的创新发展。通过双方的紧密合作，连城数控将持续推动产品迭代更新，为半导体产业注入更多活力。

连科半导体作为连城数控的全资子公司，自2023年6月成立以来，便专注于半导体产业的发展。至2023年12月末，其组织架构与业务流程已构建完毕，展现出强大的发展潜力和市场竞争力。

在业务进展方面，连城数控于今年1月10日发布公告称，拟与无锡市锡山区锡北镇政府签署《锡山区工业项目投资协议书》，投资总额不超过10.5亿元，建设半导体大硅片长晶和加工设备、SiC长晶和加工设备的研发和生产制造基地。

此外，连城数控在半导体领域设备持续批量出货，与众多行业客户建立了深厚的战略合作关系。在SiC长晶炉、合成炉、切片机及机加工设备等业务方面，公司取得了显著的成绩。同时，公司还在8英寸SiC感应炉、SiC退火炉等设备及工艺上取得了突破，并与清华大学合作开展了大尺寸SiC电阻炉及外延炉项目的研究。这些成果不仅彰显了连城数控在半导体领域的强大实力，也为其未来的发展奠定了坚实的基础。