在氮化镓（GaN）技术的竞争日益激烈之际，全球范围内的领先企业和研究机构纷纷展现出其在8英寸氮化镓制造领域的最新动态和显著进展。从英飞凌推出新一代CoolGaN器件，到台亚半导体将8英寸GaN业务转让给子公司冠亚半导体，再到广州第三代半导体创新中心GaN中试线的正式通线，这一系列事件共同标志着氮化镓技术正迈向新的发展阶段。

作为全球半导体领域的巨头，英飞凌近期宣布推出两款新一代高压（HV）和中压（MV）CoolGaN器件。这两款新品均基于8英寸晶圆代工工艺制造，标志着英飞凌在氮化镓技术领域的进一步深耕。

在半导体市场的竞争中，台亚半导体做出了重要的业务调整决策，将其8英寸GaN业务分割给子公司冠亚半导体。这一举措不仅体现了台亚半导体在战略层面的深思熟虑，也预示着冠亚半导体将在氮化镓领域扮演更加重要的角色。

在广州，西安电子科技大学广州第三代半导体创新中心宣布其GaN中试线正式通线，这标志着该中心已具备6-8英寸氮化镓晶圆生长、工艺制备、封测等全流程研发和技术服务能力。今年4月，该中心与广东致能科技联合展示了全球首片8英寸蓝宝石基GaN HEMTs晶圆器件，其性能卓越，展示了广州在氮化镓技术领域的领先地位和创新能力。