在近日召开的年度股东会上，晶圆代工巨头联电宣布，其与英特尔共同开发的12nm FinFET制程平台将成为公司技术发展的核心驱动力。预计该平台将于2026年完成开发，并在2027年实现量产。这一里程碑式的合作标志着半导体行业迈向了更加先进、高效的生产阶段。
今年年初，联电与英特尔就宣布将联手打造12nm FinFET制程平台，以应对全球范围内移动、通信基础建设和网络市场的快速增长。这一合作汇聚了英特尔在美国的大规模制造能力和联电丰富的晶圆代工经验，为双方共同开拓更广阔的制程组合提供了坚实基础。同时，这一合作也为全球客户带来了更加多元、更具韧性的供应链选择，助力他们做出更明智的采购决策。
联电共同总经理王石表示，与英特尔在美国合作开发12nm FinFET制程是联电实现产能扩张和技术节点升级的关键一步。这不仅延续了联电对客户的承诺，还展现了公司在追求成本效益和技术创新方面的坚定决心。通过这项合作，联电将帮助客户顺利升级到这一关键技术节点，并受益于北美市场产能扩展所带来的供应链韧性。
