三星电子正与韩国科学技术院（KAIST）合作，研发一种名为“Hafnia Ferroelectrics”的新型铁电材料，以期实现千层堆叠的3D NAND闪存技术，引领存储领域的新革命。

当前，随着数据存储需求的不断增长，传统3D NAND闪存技术面临诸多挑战，特别是在堆叠层数增加时，材料稳定性和生产良率的问题愈发凸显。

为此，三星与KAIST的研发团队瞄准了新型铁电材料，这种材料在特定条件下展现出的铁电特性，有望为3D NAND闪存带来革命性的突破。

据悉，新研发的Hafnia Ferroelectrics材料有望替代传统氧化物薄膜，提升3D NAND闪存的耐用性和稳定性。同时，它还能简化蚀刻过程，提高生产良率，使堆叠层数达到前所未有的高度——超过1000层。

未来，三星计划利用这种新材料，开发出PB级固态硬盘（SSD），满足大数据、云计算等领域对海量存储的需求。这一创新举措不仅将推动三星在存储领域的领先地位，也将为整个行业带来深远的影响。