三星电子正在瞄准“PB级”记忆体的实现目标，高层此前预测到2030年，V-NAND的叠加层数将超过一千层。最新消息显示，三星考虑使用新型铁电材料（Hafnia Ferroelectrics）来达成这一目标，这种材料可能成为关键因素。
三星近期在NAND市场的计划中，包括推出堆叠高达290层的第九代V-NAND闪存，并计划明年发布堆叠430层的第十代NAND记忆体。在檀香山国际会议上，韩国研究人员提出的最新解决方案可能有助于三星实现千层NAND技术，从而实现PB级固态硬盘（SSD）的目标。
尽管三星并未直接参与铁电材料的研发，但传言其与这项研究有密切关系。虽然Hafnia Ferroelectrics是否会直接导致PB级记忆体设备的诞生尚未确定，但它可能在实现这一里程碑的过程中发挥重要作用。
从长远来看，三星对新材料和技术的探索，将在存储器领域带来革命性变化。铁电材料的应用不仅为三星的PB级目标提供了可能性，也为整个存储器行业带来了新的希望。随着技术的不断进步，存储器的性能和容量将迎来新的突破，推动整个科技产业的发展。
