近日，东风汽车宣布，其与中车集团共同打造的智新半导体公司，在IGBT模块的研发与生产上取得了显著进展。该公司成功实现了车规级IGBT模块的自主开发和量产，一期产能达到30万只，主要生产400V硅基IGBT模块，标志着国产IGBT模块技术取得了从无到有的历史性突破。

智新半导体在扩大产能方面也取得了积极进展。今年4月，第二条生产线已投入使用，计划产能为40万只，不仅能生产400V硅基IGBT模块，还能兼容生产800V碳化硅模块。这条生产线的国产化率高达70%，预计将在7月实现批量投产，10月将大批量投用800V碳化硅模块。该模块采用了先进的纳米银烧结工艺和铜键合技术，散热性能更佳、耐压能力更强，能量转化效率提高了3%，且成本较同等性能的国外产品降低了30%，实现了从有到优的技术升级。

智新半导体还采用大数据技术，实现了从生产到安装的全流程可追溯、可监控，确保产品质量可靠。

展望未来，智新半导体正积极推进从原材料到生产线设备的国产化替代，以进一步降低成本并提高市场竞争力。同时，该公司还计划建设第三条生产线，规划年产能为50万只。