ictimes消息，据韩媒ZDNet Korea和The Elec报道，三星电子在近日举办的IEEE IMW 2024研讨会上，由执行副总裁Lee Siwoo亲自披露了公司的3D DRAM发展蓝图。他宣布，三星电子计划在明年推出基于4F2 VCT技术的DRAM原型。

在当前的3D DRAM研发领域中，主要有两大技术路线备受关注：一是三星力推的4F2 VCT DRAM，它在DRAM单元结构上实现z方向的垂直发展，有望通过缩减约30%的面积，大幅提升存储密度；另一条则是VS-CAT DRAM，它以类似3D NAND的方式堆叠多层DRAM，不仅提升容量，还能降低电流干扰。

三星电子在VS-CAT DRAM的研发上已取得了显著进展，内部实现了16层堆叠的VS-CAT DRAM，相比之下，竞争对手美光则停留在8层堆叠的水平。VS-CAT DRAM的核心在于其双晶圆结构，即存储单元和外围逻辑单元分离的设计，这种设计能够避免传统单晶圆设计带来的面积开销问题。