首获美芯片法案金援,格罗方德大举进攻成熟制程
来源:ictimes 发布时间:2024-05-20 分享至微信

格罗方德(GF)成为美国芯片法案首获金援的代工厂,标志着美国本土成熟制程制造的崛起。GF预计将利用这笔高达30亿美元的资金,在美国纽约州和佛蒙特州扩建新厂,以增强本土半导体产能。此举旨在扭转美国半导体产业长达数十年的下滑趋势,并提升本土在全球半导体市场中的份额。

GF计划将其位于纽约州Malta的Fab 8晶圆厂升级为生产28纳米和40纳米成熟制程芯片的工厂,同时在该地区建设一座全新晶圆厂,以满足不同应用领域的需求。新厂的建立预计将使纽约州园区的产能翻倍。

此外,GF在美国佛蒙特州的Burlington晶圆厂扩张完成后,将成为美国首家能够量产新一代氮化镓(GaN)半导体的工厂,为电动车、电网和手机等领域提供关键技术支持。

GF的扩产计划得到了美国政府的支持,拜登政府正通过提高进口关税等手段,推动本土半导体产业的发展。尽管GF能否从其他厂商手中获取转单效益尚待观察,但其在美国本土的扩产无疑为美国半导体产业的崛起注入了新的动力。

预计在未来十年内,美国本土半导体产能将大幅提升,特别是在先进制程领域,以达成在2032年将全球产能比重提高到14%的目标。

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