AI服务器的兴起推动高带宽存储器（HBM）需求激增，DRAM大厂如SK海力士、三星电子和美光纷纷投入HBM技术的研发。其中，SK海力士凭借MR-MUF技术占据领先地位，而三星与美光则坚守非导电薄膜（NCF）技术路线。随着堆叠层数的增加，技术难度加大，技术路线之争成为HBM胜败的关键。
市场预测，2024年HBM产能将大幅增长，尤其是韩国厂商的产能规划最为积极。尽管HBM生产周期长、良率低，但三大厂商仍积极竞逐HBM主导权。
SK海力士凭借MR-MUF技术获得显著散热效能，成为NVIDIA H100的独家供应商。三星则通过Advanced TC-NCF技术实现高层数HBM产品，美光则强调NCF在扩充层数和散热表现上的优势。
AI服务器的快速发展正加速HBM技术的升级，三大厂商在堆叠层数、效能及散热等方面展开激烈竞争。虽然HBM4规格尚未确定，但各家厂商已将其纳入技术研发蓝图，未来HBM市场的竞争将更加激烈。
