1.三大DRAM原厂集中火力投入HBM开发

AI服务器的兴起推动高带宽存储器（HBM）需求激增，DRAM大厂如SK海力士、三星电子和美光纷纷投入HBM技术的研发。其中，SK海力士凭借MR-MUF技术占据领先地位，而三星与美光则坚守非导电薄膜（NCF）技术路线。随着堆叠层数的增加，技术难度加大，技术路线之争成为HBM胜败的关键。

市场预测，2024年HBM产能将大幅增长，尤其是韩国厂商的产能规划最为积极。尽管HBM生产周期长、良率低，但三大厂商仍积极竞逐HBM主导权。

SK海力士凭借MR-MUF技术获得显著散热效能，成为NVIDIA H100的独家供应商。三星则通过Advanced TC-NCF技术实现高层数HBM产品，美光则强调NCF在扩充层数和散热表现上的优势。

AI服务器的快速发展正加速HBM技术的升级，三大厂商在堆叠层数、效能及散热等方面展开激烈竞争。虽然HBM4规格尚未确定，但各家厂商已将其纳入技术研发蓝图，未来HBM市场的竞争将更加激烈。

2.高端市场引领复苏，IC设计业下半年展望积极

电子产品市场正展现出明显的分化趋势，高端与低端市场走向大相径庭。随着台系IC设计业者相继发布业绩展望，2024年下半年的市场似乎并不像预期中那样悲观。

虽然车用电子和IoT相关的消费性电子面临挑战，但AI服务器、手机和PC市场却显示出强劲的增长潜力，尤其是高端产品更是备受追捧。这表明，在当前经济环境下，消费者对于高端技术的追求并未减弱，反而更加热切。

AI技术正成为推动市场增长的关键动力。从手机到PC，各大厂商都在积极开发AI应用，以满足消费者对于智能、高效的需求。这种趋势不仅推动了现有产品的升级换代，也为新应用的诞生创造了条件。

面对市场变化，各大IC设计厂商积极调整策略，以应对下半年的市场挑战。联发科、瑞昱、义隆等重点厂商普遍看好下半年的市场走势，认为传统旺季的到来将带动业绩的进一步增长。

3.开始自研GPU，传三星与超微合作终止？

三星电子与超微的合作关系或将面临重大改变。根据最新爆料，三星计划在2026年推出搭载自主研发GPU的高端Exynos芯片组，这一举动可能意味着与超微的手机用GPU研发合作走向终结。

据消息称，三星计划推出的Exynos 2500将采用超微GPU架构，并从2026年开始使用自主研发的GPU，这将是一代全新的高端系统单芯片（SoC）。

近期有关三星与超微合作终止的传闻不绝于耳。早在2023年，就有报道称三星系统LSI事业部考虑中止与超微的GPU合作，计划自2025年推出Galaxy专用应用处理器（AP）。而在同年11月，有报道称三星参与了以色列GPU新创公司Ingonyama的种子轮投资，以确保新一代GPU技术。

如果这些消息属实，Exynos 2600将成为三星首款采用自研GPU的AP，其性能表现将受到高度关注，尤其是在能否摆脱对高通的依赖，并在Galaxy S26等旗舰手机上得以广泛应用的情况下。

4.英特尔与14家日本厂商达成合作

英特尔与14家日本厂商合作，共同组成SATAS（半导体后段制程工程自动化、标准化技术研究协会），致力于研发半导体后段制程自动化技术。

SATAS成立于2024年4月16日，除了英特尔之外，还包括欧姆龙（Omron）、夏普（Sharp）、信越化学工业旗下的Shin-Etsu Polymer、Resonac（原名昭和电工）、Sinfonia Technology、SEMI Japan、Daifuku、山叶发动机（Yamaha Motor）、平田机工（Hirata）、FUJI Corporation、Miraial Co.、三菱总合研究所（Mitsubishi Research Institute）、村田机械（Murata Machinery）、Rorze等14家日厂。

SATAS旨在通过开发并标准化后段制程自动化关键技术，提高生产效率、实现可持续发展，并构建更坚韧的供应链以应对地缘政治风险。

预计该技术将于2028年投入实际应用，以减轻对人力密集的国内与东南亚地区的依赖。英特尔此举意在强化美日供应链，并提升在AI芯片上的制作能力。

5.AI驱动数据中心需求激增，文晔业绩创新高

随着人工智能技术的飞速发展，尤其是生成式AI的广泛应用，数据中心对高性能半导体的需求急剧增长。文晔科技，作为半导体行业的佼佼者，正充分把握这一市场机遇。

据最新数据显示，文晔科技一季度合并营收高达新台币1,926亿元，较去年同期增长60%，创下单季历史新高。这一成绩不仅超过了市场预期，也充分证明了公司在数据中心市场的强劲竞争力。

此外，文晔科技在营业利益和税后净利方面也取得了显著增长。具体来说，公司合并营业利益约为新台币26.1亿元，较去年同期增长32%；合并税后净利约为新台币15.9亿元，较去年同期增长显著。

值得一提的是，文晔科技近期成功收购了Future Electronics，进一步扩大了其全球市场份额和产品线。这次收购不仅为公司带来了更多样化的产品和服务，还增强了公司在全球市场的竞争力。

6.力积电：全力进攻CoWoS先进封装

力积电于5月2日在铜锣新厂启用典礼上宣布，将加快存储技术研发，并全力进军CoWoS先进封装领域。据力积电董事长黄崇仁透露，新厂将主要生产硅中介层，预计下半年月产能将大幅提升至数千片。

随着AI应用的爆发性增长和非大陆地区供应链需求的攀升，力积电看到了巨大的市场潜力，并决心把握这一商机。黄崇仁表示，铜锣新厂将作为公司纯逻辑晶圆厂的重要一环，助力公司加强在CoWoS先进封装和3D堆叠技术领域的实力。

值得一提的是，力积电是全球唯一一家同时拥有存储及逻辑制程技术的晶圆厂。黄崇仁强调，随着3D堆叠技术的不断发展，整合逻辑芯片和存储器的需求日益迫切，力积电在这方面的整合技术将处于领先地位。铜锣厂区将分为两期进行开发，以加速存储技术的研发进程。

随着智能手机技术的不断发展，对于功率、效能和面积（PPA）的要求也愈发严苛。在这一背景下，是德科技（Keysight）、新思科技（Synopsys）和Ansys共同推出了一项全新的整合式射频设计迁移流程，将台积电N16制程迁移至N6RF+技术，以满足当今无线集成电路应用的需求。

这一迁移流程汇聚了三家公司的毫米波（mmWave）和射频解决方案，极大地简化了客户采用台积电尖端射频制程时的重新设计流程。而且，通过扩充台积电的类比设计迁移（ADM）方法，该流程为射频电路设计人员提供了额外功能，大大提高了效率。

对于复杂射频芯片设计而言，满足PPA需求并遵循新的制程设计规则是一个巨大的挑战。因此，这一创新的迁移流程不仅满足了需求，更为设计人员提供了更大的投资回报率。

台积电设计建构管理处负责人Dan Kochpatcharin则表示，他们将继续与开放创新平台（OIP）生态系统合作伙伴紧密合作，以推动功率和效能双双晋级的次时代设计，迎接智能手机技术的新挑战。