英伟达（Nvidia）可能正在利用策略手段，煽动三星电子（Samsung Electronics）与SK海力士（SK hynix）之间的竞争，以期望降低高频宽存储器（HBM）的价格。

据BusinessKorea报道，由于HBM3 DRAM的价格自2023年以来飙升超过5倍，英伟达面临研发成本上升的压力。因此，有传闻称英伟达故意泄露信息，以激发其现任与潜在供应商之间的竞争，达到压价目的。

英伟达近期一直在测试三星的12层堆叠HBM3E，但尚未明确表达合作意向，此举被市场解读为意在激励三星。与此同时，SK海力士的执行长表示，2025年和2024年的HBM供应已经几乎售罄，其12层堆叠的HBM3E预计将在第三季开始量产。

英伟达这一策略的目的可能是为了降低其关键元件HBM的采购成本，从而增强其在AI领域的竞争力。