ictimes消息，近日，有消息称英伟达似乎在故意煽动三星电子和SK海力士之间的竞争，旨在降低高频宽记忆体（HBM）的价格。根据国际报告，HBM3 DRAM自2023年以来价格上涨了超过5倍，这对英伟达来说是个严重的成本压力。
据报道，英伟达传闻故意泄露消息，希望激发潜在供应商之间的竞争，以期降低HBM价格。4月25日，SK集团董事长崔泰源匆匆前往矽谷与英伟达执行长黄仁勋会面，引发市场对这一策略的猜测。
值得关注的是，尽管英伟达近期一直在测试三星开发的12层堆叠HBM3E，但尚未表明合作意愿。市场普遍认为，这是英伟达采取的一种策略，旨在刺激三星电子。而三星最近宣布，将从第二季度开始量产12层堆叠的HBM3E。
SK海力士执行长Kwak Noh-Jung于5月2日表示，2025年的AI芯片组用HBM几乎已全部售罄，2024年的供应也已全部订购一空。他预计，12层堆叠的HBM3E将在5月开始送样，第三季度将开始量产。
这一局势的发展引发了市场的广泛关注和猜测，英伟达的策略是否会对HBM市场带来重大影响仍是未知数，但这种竞争对于消费者可能带来一定程度的好处。
