在全球半导体市场竞争激烈的背景下，SK海力士再次加大投资力度，将韩国清州的M17厂区定为DRAM生产新据点，以抢占高带宽存储市场先机。

M17工厂毗邻SK海力士清州园区，占地面积庞大，原本计划用于NAND Flash产线建设，但公司根据市场变化迅速调整策略，转投DRAM生产。这一举措不仅展现了SK海力士对市场趋势的敏锐洞察，也体现了其快速响应市场需求的能力。

与此同时，SK海力士还积极推进M15X工厂的建设，计划采用先进的EUV制程技术和扩大TSV制程产能，以提高HBM生产效率。公司还计划推出12层堆叠的HBM3E产品，并预计在2024年第三季度开始量产，以满足市场对高性能存储器的需求。

此外，SK海力士还在韩国龙仁市规划了一座大型半导体聚落，并计划投入巨资建设迷你工厂，以吸引原材料、零组件和设备供应商进驻。