纳芯微引领碳化硅领域创新，推出全新1200V SiC MOSFET系列产品NPC060N120A，开启革命性变革。新产品以其低RDSon值（60mΩ）和多种封装形式（通孔式TO-247-4L和表面贴装TO-263-7L）脱颖而出，满足车规和工规等级的需求。

这款MOSFET不仅在温度稳定性方面表现出色，而且具备更宽的门极驱动电压范围，可支持+15V和+18V驱动模式。此外，其出色的阈值电压一致性以及体二极管的低正向压降进一步增强了其性能。值得一提的是，产品经过100%的雪崩测试，展现出卓越的可靠性和抗冲击能力。

纳芯微始终把功率产品开发中的可靠性验证与质量控制置于重要位置。他们采用严格的质量控制标准，在碳化硅芯片生产过程中进行全面的静态电参数测试和雪崩能力测试。此外，为了确保产品可靠性，纳芯微还执行比AEC-Q101更严格的测试条件。这些举措旨在向客户提供更加可靠的碳化硅MOSFET产品，助力各种应用领域的发展。