4月10日，全球首片8英寸蓝宝石基GaN HEMTs晶圆在武汉九峰山论坛惊艳亮相。这是西安电子科技大学郝跃院士团队与广东致能科技联合研发的成果，通过优化外延工艺，其不均匀性控制在4%以内，器件良率超95%，击穿电压突破2000V。

蓝宝石衬底技术是实现高压GaN HEMTs的优选方案。随着8英寸蓝宝石衬底工艺成熟和成本下降，蓝宝石基GaN HEMTs晶圆有望大幅降低成本，对现有的Si MOSFET、IGBT和SiC MOSFET形成强烈冲击。

蓝宝石GaN晶圆结合了GaN的卓越电子性能和蓝宝石的高热导性，在高频、高功率领域具有巨大潜力。尽管蓝宝石与GaN的结晶常数差异带来挑战，但研究者和企业正通过不同方法攻克难关，如氢化物气相外延法和氨热法。

产业界在GaN晶圆技术上已取得显著进展，大尺寸、高质量晶圆的制造不再是遥不可及的梦想。