近日，SK海力士（SK Hynix）宣布将在2024年积极展开投资，以扩充先进DRAM产能。该公司计划向多家合作厂商订购第四代10纳米级（1a）DRAM和第五代10纳米级（1b）DRAM的相关设备，并有望引进极紫外光（EUV）设备。

据ZDNet Korea引述业界消息，迈入2024年之后，SK海力士计划在韩国利川的M16厂和M14工厂扩充先进DRAM产能。其中，M16厂于2021年竣工，是SK海力士先进DRAM生产基地，主要生产1a DRAM和1b DRAM。而1b DRAM是目前商用化的最新一代DRAM，将用于2024年上半正式量产的第五代HBM「HBM3E」。

在投资方面，SK海力士计划从2024年初开始在M16厂和M14工厂投资1a DRAM和1b DRAM用设备。据悉，部分合资公司已收到设备订单，将自2024年初开始供应。另外，在SK海力士的研议的投资内容中，规划新增月产能2万片，其中1b DRAM有望占较高比重。

随着生成式AI领域的竞争日益激烈，全球主要DRAM业者均积极投资HBM技术、产能。在日前召开的2023年第3季财报会议上，SK海力士官方透露，预计2024年将以1a DRAM、1b DRAM为中心转换制程，同时也将积极确保HBM产能，且正优先考虑投资HBM制程的核心技术矽穿孔（TSV）。

三星也计划在2024年的全球晶圆前端设备（WFE）规划投资约27万亿韩元（约207.05亿美元），年增25%。美光则在2024会计年度第1季（1QFY24）财报会议上透露，2024年度资本支出预计落在75亿~80亿美元，主要用于提高HBM3E产量。

此外，SK海力士还将积极应对市场变化，加强与合作伙伴的沟通与合作，以确保其DRAM业务的持续发展和竞争力。