南亚科10奈米制程推进顺利 DDR5明年下半年交货
来源:中国IC交易网 发布时间:2023-10-13
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中国台湾DRAM厂商南亚科看好明年DDR5渗透率提升,对于南亚科目前主攻的DDR4/LPDDR4以下的市场,有助于该市场的库存消化,回到健康的供需,而在技术推进上,目前10奈米第二世代8Gb DDR4已近完成试产,并开始投片DDR5产品,第三世代目前正在开发测试晶片,进度符合预期。
南亚科自主开发DRAM 10奈米制程,共可分为三个世代,第一世代已完成,且已开始生产,但公司策略上第一世代并不会大量产,而是直接进入更有竞争力的第二世代;而在第二世代,8Gb DDR4已近完成试产,并开始投片DDR5产品,预计明年第二季开始验证,目标明年下半年小量交货,另外,也开始在设计LPDDR4跟LPDDR5的产品,明年逐步试产。
而在更下一阶段的制程开发,南亚科表示,10奈米第三阶段目前在做测试晶片,进度符合预期,也开始EUV制程的开发,这部分是与欧厂合作,透过对方设备做开发,算是相对早期的进度,已有正面结果,实际量产要等南亚科新厂建好,才会有量产的规划。
南亚科自主开发DRAM 10奈米制程,共可分为三个世代,第一世代已完成,且已开始生产,但公司策略上第一世代并不会大量产,而是直接进入更有竞争力的第二世代;而在第二世代,8Gb DDR4已近完成试产,并开始投片DDR5产品,预计明年第二季开始验证,目标明年下半年小量交货,另外,也开始在设计LPDDR4跟LPDDR5的产品,明年逐步试产。
而在更下一阶段的制程开发,南亚科表示,10奈米第三阶段目前在做测试晶片,进度符合预期,也开始EUV制程的开发,这部分是与欧厂合作,透过对方设备做开发,算是相对早期的进度,已有正面结果,实际量产要等南亚科新厂建好,才会有量产的规划。
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