BelGaN 650V eGaN工艺技术正式量产
来源:化合物半导体 发布时间:2023-08-10 分享至微信

比利时布鲁塞尔,2023年8月8日--欧洲领先的氮化镓(GaN)车规半导体代工厂BelGaN 650V eGaN工艺技术正式量产。该项技术在高能效软开关应用方面,已达到世界领先水平。这是BelGaN完成对安森美晶圆厂收购仅一年后取得的一个重要里程碑。


BelGaN正在为GaN ValleyTM奠定基础,这是一个不断发展的创新生态系统,主要面向基于氮化镓的芯片和电力电子产品,应用于欧洲及其他地区的电动汽车、移动、工业、数据中心和可再生能源市场。这与欧洲实现芯片自主化(欧洲芯片法案)和碳中和社会(绿色交易)的目标不谋而合。


在BelGaN成立GaN ValleyTM生态系统仅几个月后,已拥有40多家欧洲GaN产业链公司和机构。(www.ganvalley.org)


“氮化镓量产是我们实现GaN ValleyTM愿景的第一次飞跃。”BelGaNCEO周贞宏博士表示,“友商需要数年的时间才能将氮化镓工艺和技术应用到生产中,而我们凭借着超过200人*年的氮化镓技术开发经验和30多年的大批量车规级芯片生产经验,仅用了创纪录的一年时间就实现了这一目标。”


BelGaN的前身是1983年成立的MIETEC,后被阿尔卡特(Alcatel)和AMIS收购,又于2008年出售给安森美,并在2009年开始进行氮化镓研发,30多年来一直致力于车规半导体生产。位于比利时Oudenaarde的工厂目前正在从硅工厂转型为氮化镓工厂,这将推动该地区的创新式增长,并在研发、运营和各种服务等部门提供就业机会。


BelGaN首席技术官兼业务发展副总裁Marnix Tack博士表示:“这是BelGaN和氮化镓界激动人心的时刻。我们的Gen1 650V E-Mode氮化镓技术是我们的市场入门平台,面向高能效软开关应用,其性能已达到世界领先水平。这也是我们目前正在开发的Gen2和Gen3平台的基准,这些平台预计将于今年晚些时候或明年初发布。”


BelGaN和GaN ValleyTM受到能源和气候大趋势的推动,即以可承受的能源成本提高电气化程度,从而实现更高的可持续性和碳中和(太阳能和风能、电动汽车等)。例如,据业内专家称,每生产一个氮化镓器件将减少4千克二氧化碳排放。



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