当前，宽禁带半导体材料如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等在射频器件领域的应用越来越广泛，技术也在不断提升，在高频射频应用，功率放大器和功率调节器等方面取得了重要进展。除了碳化硅和氮化镓，新的宽禁带材料也在不断被开发，如氮化铝镓（AlGaN）、氮化铝铟镓（InAlGaN）等，以拓展射频和功率应用的领域。

2023年7月26-28日，“2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛”于西安召开。论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）指导，西安交通大学、极智半导体产业网（www.casmita.com）、第三代半导体产业主办，西安电子科技大学、中国科学院半导体研究所、第三代半导体产业技术创新战略联盟人才发展委员会、全国半导体应用产教融合（东莞）职业教育集团联合组织筹办。

开幕大会上，西安电子科技大学副校长、教授张进成做了题为“宽禁带半导体射频和功率器件技术新进展”的主题报告，报告认为，宽禁带半导体电子器件是后摩尔时代的关键新领域新赛道，2030年前宽禁带半导体技术仍加速演进阶段。大功率射频器件、高速高效功率器件是革命性的半导体技术，在宽禁带半导体新赛道，射频和功率半导体有追赶赶超的机遇。报告分析了当前GaN器件技术面临的材料设计与缺陷抑制、高密度电子调控难、硅基GaN射频损耗大、高性能增强型GaN器件等挑战与技术路线发展方向，并分享了低缺陷GaN基电子材料生长方法、高性能GaN基HEMT射频器件、高性能GaN基射频二极管、高性能增强型GaN电力电子器件等重大突破。报告指出，宽禁带半导体射频与功率器件发展呈现出追求更高功率密度，更高频率、更高效率，更大带宽，更高电压和功率优值，龙头企业深度参与，更好的设备和材料创新驱动的趋势。

嘉宾简介

张进成，西安电子科技大学副校长、教授、宽禁带半导体器件与集成电路国家工程研究中心副主任、宽带半导体技术国家级重点实验室副主任，曾担任ICNS、DRIP、APWS等国际学术会议电子器件分会主席，微电子学院副院长，科学研究院院长。主要研究领域为宽禁带与超宽禁带半导体材料与器件，发表SCI论文300余篇，出版专着3部，授权发明专利80余项，成果6次被国际着名杂志Semiconductor Today专题报道。获得国家技术发明二等奖2项（排名第一和第二），省部级科技一等奖4项以及国家教学成果一等奖1项。1998年起师从中国科学院院士郝跃教授，从事宽禁带半导体电子材料与器件研究，是我国乃至国际上最早开展宽禁带（第三代）半导体电子器件与材料研究的知名学者之一。