基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia (安世半导体)今日宣布，将凭借600 V器件系列进军绝缘栅双极晶体管(IGBT)市场，而30A NGW30T60M3DF将打响进军市场的第一炮。Nexperia在其庞大的产品组合中增加了IGBT，满足了市场对于高效高压开关器件不断增长的需求以及在性能和成本方面的要求。这些器件有助于提高电源转换和电机驱动应用中的功率密度，包括工业电机驱动（例如5到20 kW (20 kHz)的伺服电机）、机器人、电梯、机器操作手、工业自动化、功率逆变器、不间断电源(UPS)、光伏(PV)串联组件、EV充电以及感应加热和焊接。
IGBT是一项相对成熟的技术。尽管如此，这些器件的市场预计将随着太阳能面板和电动汽车(EV)充电器的日益普及而有所增长。Nexperia 的600 V IGBT采用稳健、经济高效的载流子储存沟槽栅场截止(FS)结构，在最高175℃的工作温度下可提供超低导通和开关损耗性能与高耐用性。这可提高功率逆变器、感应加热器、焊接设备和工业应用（如电机驱动和伺服、机器人、电梯、机器操作手和工业自动化等）的效率和可靠性。
设计人员可以在中速(M3)和高速(H3)系列IGBT之间自由选择。这些IGBT采用非常紧密的参数分布设计，允许多个器件安全地并联连接。此外，与竞品器件相比其热阻更低，因此能够提供更高的输出功率。这些IGBT还并联了全电流反向软快恢复二极管。这意味着它们适用于逆变器，整流器及双向变换电路应用，在过流条件下更加稳健。
Nexperia绝缘栅双极晶体管和模块业务部门总经理Ke Jiang博士表示：“Nexperia通过发布IGBT，为设计人员提供了更多的电源开关器件选择，以满足广泛的电源应用需求。IGBT是对Nexperia现有的CMOS和宽带隙开关器件系列产品的理想补充，Nexperia由此可为功率电子设计师提供一站式服务。”
这些IGBT采用无铅TO247-3L标准封装，并通过严苛的HV-H3TRB质量标准，适合室外应用。Nexperia计划在本次产品发布后将推出1200 V IGBT系列器件。欲了解有关Nexperia IGBT的更多信息，请点击「阅读原文」。
