
为抢占下一代晶圆代工事业主导权,三星电子(Samsung Electronics)首度曝光2纳米量产计划与效能,预定2025年进入量产。另外,三星也揭露「先盖厂房、延后装机」策略(Shell-First Strategy)阶段性进展,引起各界关注。
综合Chosun Biz、Money Today等韩媒消息,三星于美国硅谷举行「三星晶圆代工论坛2023」透露2纳米量产计划与其效能。三星规划,2025年以移动设备为中心量产2纳米制程(SF2),接着2026年增加高效能运算(HPC)、2027年再扩大至车用半导体领域。
值得注意的是,相较三星第二代3纳米制程3GAP(SF3),SF2制程效能提高12%、功耗效率提高25%、面积减少5%。
1.4纳米制程将按计划在2027年量产。
三星持续扩张先进晶圆代工服务的同时,为确保投资效率、弹性,过去已多次提及「先盖厂房、延后装机」策略。目前,三星正在韩国平泽、美国泰勒(Taylor)晶圆代工厂区率先建设半导体清洁室,预计2027年三星清洁室规模将比2021年大7.3倍。
「先盖厂房、延后装机」策略指的是,优先建设半导体生产所须清洁室,再依市场需求,灵活调整设备投资,并可快速确保产能。
虽然三星过去几经调整平泽三厂(P3)产线、美国泰勒市晶圆厂的投资日程,但根据三星最新计划,韩国P3产线预计于2023年下半正式量产;美国泰勒第一条产线将按计划于2023年下半竣工,2024年下半投入使用。此外,继韩国平泽P3、美国泰勒厂之后,三星也将把生产据点扩大到韩国龙仁国家产业园区。
除此之外,三星规划自2025年起生产8寸氮化镓(GaN)功率半导体;另外也看准6G通讯前景,开发5纳米射频(RF)制程,预计2025年上半量产;不仅如此,三星宣布成立先进封装协议(Multi Die Integration Alliance;MDI),持续提升封装技术。
暂无评论哦,快来评论一下吧!
