三星电子（Samsung Electronics）传有意于3D DRAM产线，引进日本设备业者东京威力科创（TEL）新一代混合氧化物蚀刻设备，东京威力科创碳化矽环（SiC Ring）供应合作业者Hana Materials也有望从中受益。

根据韩媒Theelec报导，半导体业界消息指出，三星近期向东京威力科创总公司提供测试晶圆进行设备评价，结果为蚀刻速度及图案（Pattern）成功获得改善。据悉，东京威力科创计划近期在三星半导体研究所指定的场地装设混合氧化物蚀刻演示设备，针对设备供应展开协商。

业界认为，东京威力科创新一代蚀刻设备，将于三星计划2025年量产的3D NAND V10制程中引进，或为三星的氧化蚀刻设备供应市场版图带来变化。目前三星蚀刻设备市场中，Lam Research以60%市占率领先，东京威力科创则为30%。

此外，随着东京威力科创蚀刻设备受到业界好评，其碳化矽环供应合作业者Hana Materials也有望获益。碳化矽环在半导体蚀刻设备中，扮演固定晶圆的角色，且相较过去使用的石英或矽材料耐久度更高。半导体业界针对3D NAND Flash等高附加值产品生产，正扩大使用碳化矽环。

因此若三星等韩国半导体业者扩大引进东京威力科创的蚀刻设备，将有助Hana Materials营收成长。证券业界相关人士预测，Hana Materials碳化矽环的营业利益贡献率，将自2022年4%水准，于2023年提升到11%，2024年达到15%，带动公司整体成长。

另外，Hana Materials于2022年4月发表牙山第二工厂的新投资计划，总投资额为1,253亿韩元（约9,600万美元），预计于2023年8月完工，传新工厂将量产矽及碳化矽零组件等。