采用DFN8*8封装，芯塔电子正式发布650V/60mΩ SiC MOSFET-icspec

采用DFN8*8封装，芯塔电子正式发布650V/60mΩ SiC MOSFET

来源:宽禁带半导体技术创新联盟发布时间:2023-05-06

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近日，据芯塔电子官微消息，芯塔电子650V/60mΩ DFN8*8封装SiC MOSFET产品正式发布，产品型号代码TM2G0060065M。目前产品已通过高端工业电源客户验证，并获得多家客户的意向订单。

芯片方面，技术团队结合先进的晶圆减薄技术，进一步提高了器件的功率密度和效率，可以应用在更高频的环境，从而大幅降低外围电路电感、电容、滤波器和变压器的尺寸，对比前一代产品具有更小的芯片尺寸、更低的米勒电容、更高的抗干扰能力。值得一提的是，芯塔电子产品的设计及验证均按照车规级标准执行，技术参数可对标国际一线公司的最新产品，满足高端领域的国产化替代需求。

封装方面，DFN8*8与传统封装相比，贴片封装外形大大减少了封装尺寸大小，优化了体积和空间占比，封装厚度<1mm。更因为其无引脚设计，相对于TO-252和TO-263而言，寄生电感更低，主要的冷却路径是通过裸露的金属焊盘到PCB，提高封装的散热能力。加大式的基岛设计，在封装上满足近似插件功率器件的要求；优异的导热性能，直接随PCB贴合散热；小体积设计，可以大幅减少产品空间占用。

芯塔电子第二代SiC MOSFET产品通过优化设计，不但获得了更高的性价比，同时也改善了器件动态特性，获得了更低的开关损耗，结合DFN8*8封装优异特性以满足工业领域客户对高性能、高可靠性、小尺寸的高端功率半导体器件需求。

应用方面，该产品主要定位在储能市场。以光伏行业举例，众所周知，传统的硅基器件已不能满足光伏逆变器MPPT(最大功率点跟踪)电路在效率和发热方面的需求，光伏行业迈入后1500V以及20A大电流时代，要建成更大组串进一步降成本，就需要降低组件工作电压和提高电站的电压等级，而碳化硅的性能优势就更加凸显。

此外，缩小体积以降低成本也是光伏逆变器的演进趋势，尤其体现在微型逆变器和组串式逆变器上，碳化硅器件也需要做得更加紧凑并解决由此带来的散热问题。芯塔电子650V/60mΩ DFN8*8封装SiC MOSFET产品的凭借其较小的封装尺寸、优化的体积和空间占比、较高的封装散热能力等性能优势完美适配储能应用市场。

芯塔电子始终致力于成为全球领先的功率半导体解决方案的提供商，在全国产化方面身体力行，尤其在碳化硅产品国产化方面也成为一大成功典范，产品已经导入军工、新能源车、直流充电桩、光伏储能、数据中心电源和消费电子等诸多领域，尤其在「上车」、「逐光」这两条火热应用赛道上，芯塔电子的产品均能为其强势赋能。