2022年11月15日，由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、中国科学院物理研究所、中国电子材料行业协会半导体材料分会、SEMI（国际半导体产业协会）和中国晶体学会联合主办的第三届亚太碳化硅及相关材料国际会议(APCSCRM-2022)在江苏省徐州市召开。在大会开幕式最后环节，北京天科合达半导体股份有限公司举办了“8英寸导电型碳化硅衬底”新产品发布会。新产品发布会由北京天科合达公司技术副总监娄艳芳博士主持。
天科合达副总经理刘春俊博士详细介绍了“8英寸导电型碳化硅衬底”新产品各项关键技术参数指标，并公布其将于2023年实现8英寸导电型碳化硅衬底小规模量产。发布会最后，天科合达总经理杨建在会上介绍，北京天科合达起源于中国科学院物理研究所陈小龙教授科研项目及研究成果，自2006年成立以来，一直坚守碳化硅衬底细分领域，目前产能规模在行业内位居国内第一、全球第四，入选了《2021全球独角兽榜》，2021年徐州天科合达生产基地6英寸系列产品的产能达全国首位，目前北京大兴总部基地6英寸产能正在持续突破。天科合达作为国内碳化硅衬底领域龙头企业，持续不断突破更大尺寸、更高质量碳化硅衬底制备的关键核心技术，为我国第三代半导体碳化硅行业发展创造价值。天科合达“8英寸碳化硅衬底”新产品技术研发工作也一直获得了北京市科学技术委员会，新疆生产建设兵团和国家科技部等市委、部委的大力支持。
展会现场图片
（1）8英寸碳化硅晶体(直径可达209mm)及晶片外观图
（2）拉曼光谱测试数据表明，8英寸碳化硅衬底100%面积为4H晶型
（3）XRD三点摇摆曲线数据显示，半高宽小于20arcsec
（4）位错缺陷密度测试结果显示， EPD＜4000个每平方厘米，TSD＜100个每平方厘米，BPD＜200个每平方厘米，位错密度整体处于国际领先水平
来源：天科合达官网
